^^^▲ 삼성전자가 세계 최초로 개발한 30나노 64기가비트 낸드플래시 제품^^^

30나노 기술은 머리카락 두께 1/4,000 정도의 초미세 기술이며, 64기가 용량은 세계 인구 65억명의 약 10배에 해당하는 640억개의 메모리 저장 장소가 손톱만한 크기에 집적되어 한 치의 오차 없이 작동되고 있음을 의미하는 것으로 現存하는 반도체 중 최첨단 기술이다.

금번 30나노 64기가 낸드 플래시는, 작년 40나노 32기가 낸드 플래시 개발 時 삼성이 최초로 적용한 CTF 기술을 기반으로 하고, 여기에다, 기존의 DPT 기술과는 차별화 된 "삼성의 독창적 DPT(SaDPT, Self-aligned Double Patterning Technology)" 공정 기술을 비롯한 최첨단 설계/소자/Layout 등의 기술을 집대성, 추가로 적용 하여 얻은 성과다.

CTF가 기존의 고정 관념을 바꾸어 전하를 도체가 아닌 부도체에 저장, 셀間 정보 간섭을 최대한 억제함으로써 작년까지만 해도 限界로 알려져 왔던 50나노 장벽을 허물고, 40나노급 이하에서의 商用化 가능성을 최초로 제시한 기술이라면, 금번 개발을 위해 CTF와 함께 적용된 "SaDPT 기술" 은 기존 DPT 기술을 한 단계 더 발전시킨 "삼성만의 독창적 DPT 기술" 이다.

한가지 더 고무적인 것은, 이 기술을 20나노급까지도 확대 적용 함으로써 추가 투자 없이도 차세대 (30나노)는 물론, 차차세대 (20나노)까지의 공정 전환과 제품화 가능성을 제시 했다는 점이다.

이 역시, 20나노 / 256기가까지 적용 가능한 CTF 기술을 기반으로 하지 않았다면, 불가능 했을 것이다.