그랜드텍은 질화갈륨(GaN) 웨이퍼 및 제조 설비 중 수소기상증착기인 HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy) 시스템을 개발하고 있으며 이 기술을 이용, 2인치(25mm) 풀 사이즈의 질화갈륨(GaN) 웨이퍼 개발을 완료하였다.

현재 사용하고 있는 질화갈륨 막질은 결함밀도가 109 /cm2 이상으로 이번에 개발된 질화갈륨(GaN) 웨이퍼는 실리콘 웨이퍼에 근접하는 107~8 /cm2 수준의 고품질이라고 회사측은 설명했다.

질화갈륨 웨이퍼는 LED 제조용 기판으로 성능 향상을 통해 고휘도, 고효율의 제품 생산이 가능하다고 회사측은 덧붙였다.

또 그랜드텍은 부품소재 정부과제로 제조 설비인 수소기상증착기(HVPE) 시스템을 2011년까지 양산을 목표로 개발을 진행 중에 있다.

질화갈륨(GaN) 웨이퍼는 전량 수입에 의존하고 있는 레이저 다이오드(Laser Diode)의 핵심 기초소자일 뿐만 아니라 차세대 고효율 LED제조의 핵심 소자로서 그간 미국의 LED업체인 크리(Cree)사와 미국 TDI 등 극히 일부 회사만이 제조 가능한 제품이었다.

한편 한국광기술원에 따르면 우리나라의 LED용 부품소재 및 에피, 칩 시장 규모는 2010년 5700억원, 2012년 8,979억원, 2015년 18,000억원으로 폭발적 신장세를 이룰 것으로 전망했다.