SK하이닉스가 업계 최초로 고방열 소재 ‘High-K EMC’를 적용한 모바일 D램을 개발, 글로벌 고객사 공급을 시작했다.

28일 SK하이닉스는 반도체 패키지 핵심 소재인 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC)에 열전도 성능을 크게 높인 ‘High-K EMC’를 적용한 모바일 D램 제품을 출시했다고 밝혔다. EMC는 반도체를 외부 환경으로부터 보호하면서 동시에 열 방출 통로 역할을 하는 소재다. 이번에 SK하이닉스가 개발한 High-K EMC는 기존 실리카(Silica)에 알루미나(Alumina)를 혼합해 열전도도를 기존 대비 약 3.5배 향상시켰다.

회사는 이 기술을 통해 열이 수직으로 이동하는 경로의 열저항을 47% 개선했다고 설명했다. 이로써 스마트폰 고속 데이터 처리 과정에서 발생하는 발열이 크게 줄어, 고사양 플래그십 스마트폰의 성능 저하 문제 해결에 기여할 것으로 기대된다.

현재 최신 스마트폰은 애플리케이션 프로세서(AP) 위에 D램을 적층하는 패키지온패키지(PoP) 구조를 채택하고 있다. 이 방식은 공간 효율성과 데이터 처리 속도를 높이는 장점이 있으나, AP에서 발생한 열이 D램 내부에 축적돼 발열 문제가 심화되는 한계가 있었다. SK하이닉스는 이번 소재 혁신으로 이러한 구조적 문제에 대응했다.

향상된 방열 성능은 성능 개선뿐 아니라 전력 효율성 향상, 배터리 지속시간 증가, 제품 수명 연장 효과도 기대된다. 업계에서는 온디바이스 AI 구현이 본격화되는 상황에서 해당 제품 수요가 늘어날 것으로 전망하고 있다.

SK하이닉스 이규제 부사장(PKG제품개발 담당)은 “이번 제품은 단순한 반도체 성능 향상을 넘어 사용자의 불편을 해소하는 데 기여한다”며 “소재 기술 혁신을 통해 차세대 모바일 D램 시장에서 기술 리더십을 강화하겠다”고 말했다.