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삼성전자(삼성전자#뉴스타운)가 업계에서 처음으로 첨단 70나노 공정을 적용한 512메가 DDR2 D램 개발에 성공했다. (사진) 이로써 삼성전자는 '01년 100나노, '02년 90나노, '03년 80나노, '05년 70나노에 이르는 4세대 D램 공정기술을 세계 최초로 개발, 나노급 D램 기술분야 그랜드슬램을 달성하게 됐다.

나노 기술은 통상 100나노 이하에서 물질을 조작하는 기술을 지칭하며, 삼성전자가 개발한 70나노 공정기술은 반도체 회로 선폭이 머리카락 두께의 약 1천400분의 1에 해당하는 초 미세 반도체 제조 기술이다.

삼성전자는 지난해 중순부터 90나노 공정을 적용한 D램 제품의 양산을 시작하여 업계보다 1년 이상 앞서 있으며, 이번 기술 개발을 통해 2세대 앞선 양산 기술력을 조기에 확보하게 됐다.

삼성전자가 이번에 개발한 70나노 512메가 DDR2 D램은 기존에 양산하고 있는 90나노 512메가 DDR2 제품 대비 생산성 2배 향상이 가능하며, 1.8볼트 저전압 동작으로 PC를 비롯한 컴퓨팅 시스템 뿐만 아니라 각종 모바일 기기에 최적의 성능을 구현할 것으로 기대된다.

특히, 이번 제품은 2003년 6월 세계적 권위의 반도체학회인 「VLSI」에서 발표한 'MIM (Metal-Insulator-Metal) 캐패시터 기술' 과 2005년 6월에 발표한 삼성전자 독자기술인 3차원 트랜지스터 제작 기술 'S-RCAT (Sphere shaped Recess Channel Array Transistor)'를 적용하여 D램의 미세화 수준과 데이터 저장 특성을 혁신적으로 개선한 점도 특징이다.

이와 함께 기존 90나노와 80나노 공정기술과 기술 연속성을 유지, 70나노 제품 양산 時 추가 투자를대폭 줄일 수 있는 장점이 있어, 업계 최고의 원가 경쟁력을 한층 강화해 나갈 수 있게 됐다.

삼성전자는 이번 70나노 D램 개발에 이어 차세대 D램 개발을 가속화함으로써 D램 부문에서도 업계와의 기술 격차를 더욱 벌려 나간다는 전략이다.

이에 따라, 삼성전자는 현재 양산 중인 90나노급 D램에 이어 80나노 D램을 올 하반기, 이번 70나노 512메가 D램은 내년 하반기부터 각각 양산에 돌입할 예정이며, 향후 1기가, 2기가 D램까지 70나노 적용을 확대해 대용량 D램 시장을 주도해 나갈 계획이다.

한편, 시장조사기관인 아이서플라이에 따르면 D램시장은 향후 새로운 차세대 게임기 출시, 3세대 휴대폰 비중 확대, 그리고 新 PC 운영체제 (MS社 '윈도우 비스타') 출시 등에 따라, 올해 265억불에서 '09년 374억불로 안정적인 성장세를 유지할 전망이다.