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지난해 9월 90나노 공정을 적용한 512Mb(Mega bit:메가비트) D램 생산을 시작하며 본격적인 나노 D램 시대를 열었던 삼성전자가 이번에는 90나노 공정을 기가(Giga)급 D램에 확대 적용한다.

삼성전자는 세계 최초로 90나노(1나노=10억분의 1m, 사람 머리카락 굵기의 10만분의 1) 공정을 적용한 1Gb(Giga bit:기가비트) DDR2 D램의 본격적인 양산에 돌입했다고 밝혔다.

90나노 공정은 0.11㎛(미크론)급 공정 대비 약 40% 생산성 향상을 가져와 원가경쟁력을 획기적으로 높일 수 있는 최첨단 메모리 미세공정 기술로, 특히 기가급 대용량 D램에는 필수적인 차세대 공정기술이다.

삼성전자는 이미 90나노 공정을 적용하고 있는 512Mb DDR, 512Mb DDR2 및 512Mb 그래픽 DDR3에 이어 1Gb D램에도 조기에 90나노 공정을 적용해 세계 최초 양산을 시작함에 따라 타 업체와의 격차를 한층 더 벌리며 차세대 나노급 D램 시장의 주도권을 더욱 확고히 유지하게 됐다.

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이번에 삼성전자가 양산하는 제품은 동작전압 1.8V의 90나노 1Gb DDR2 400/533/667 로 90나노 공정을 적용한 1Gb D램으로는 최초로 인텔의 인증도 획득한 제품이다. 삼성전자는 이미 90나노 512Mb DDR2 (400/533/667) 全 제품도 인텔 인증을 획득한 상태다.

삼성전자는 특히, 동일 라인 동일 공정에서 마스크(MASK) 교체만을 통해 DDR2와 DDR을 함께 생산할 수 있는 'Combo Die' 공정법을 적용한 DDR - DDR2 동시 양산체제를 갖추고, 시장상황에 따라 이르면 3분기부터 90나노 1Gb DDR 400 제품도 양산할 계획이라고 밝혔다.

최근, 서버를 비롯한 PC 환경이 64비트 시대를 맞이하면서 이를 지원하는 메모리의 용량도 지속적으로 증가할 것으로 분석되고 있다.

반도체 시장조사 전문기관 데이터 퀘스터에 따르면 올해부터 D램 시장은 기존 256Mb D램에서 512Mb D램으로 시장 전환이 이뤄져 본격적인 대용량 D램 시대를 맞이할 전망이다. 특히, 1Gb 이상 기가급 D램도 점차 늘어나 '08년에는 1Gb D램이 170억불 규모로 주력 메모리 제품이 될 것으로 예상된다.

이에 따라, 삼성전자는 올 4분기까지 90나노 1Gb D램 월 1백만개 생산체제를 갖추고 지속적으로 생산량을 늘려 나갈 예정이며, 90나노 공정 비중도 올 연말에는 40%로 확대할 계획이다.