하이닉스반도체가 이번에 제품검증(Evaluation)을 통과한 제품은 512메가 DDR2 SD램 단품으로, 최근 인텔社로부터 이 제품이 차세대 칩셋인 린덴허스트(Lindenhurst)와의 연동 테스트를 성공적으로 통과했다는 결과를 통보받아 초고속 DDR 제품에 대한 국제적인 공신력을 인정받았다.

同 제품은 하이닉스반도체가 자랑하는 세계 최고 수준의 골든칩(0.11미크론) 기술을 적용하여 1.8V의 동작전압에서 667MHz의 동작속도를 구현할 수 있도록 개발됐으며, 내년 초부터 본격 양산에 들어갈 예정인 것으로 알려졌다.

하이닉스반도체는 이미 지난 6월 업계 최초로 인텔社로부터 512메가 DDR400 제품인증을 받은 것에 이어 이번 512메가 DDR2 SD램의 제품검증 통과로 초고속 DDR 메모리 시장에서의 선도적 지위를 더욱 강화하게 됐다고 밝히고 同 제품이 DDR2 이중직렬메모리모듈(DIMM)에 기본적으로 적용되는 것은 물론, OEM 업체와 시스템 개발 업체들의 서버, 워크스테이션, PC에 안정적이고 효율적인 DDR2 환경을 제공해 줄 것이라고 말했다.

인텔社의 선임연구원인 피트 맥윌리엄스(Pete MacWilliams)는 “하이닉스 반도체의 저전력 고성능 DDR2 기술은 인텔社가 내년부터 진행하는 차세대 서버, 워크스테이션, 데스크톱, 모바일 플랫폼과 호환성이 매우 좋아 기술 개발에 큰 도움을 주고 있다”고 밝혔다.

하이닉스반도체는 이번 제품검증 통과를 계기로 DDR400 및 DDR2 등 초고속 DDR 생산에 박차를 가해 빠르게 성장하는 차세대 DDR 시장에서 선도적 지위를 강화하고 우수한 제품 및 가격 경쟁력으로 고수익 창출에 기여해 나갈 방침이다.