RFHIC(대표이사 조덕수)가 질화갈륨 반도체(GaN on SiC) 사업 확대를 위해 스웨덴의 질화갈륨 반도체 에피웨이퍼 개발업체인 스위겐(SweGaN)에 전략적 지분투자를 결정했다고 밝혔다.

최근 질화갈륨(GaN) 및 실리콘카바이드(SiC) 등 화합물 반도체에 대한 시장의 관심이 확대됨에 따라 RFHIC는 스위겐(SweGaN)에 전략적 지분투자를 단행함으로써 해당 분야에서 경쟁력을 확보해 나가겠다는 계획이다.

스위겐(SweGaN)은 RF 및 전력반도체에서 최고의 성능을 갖는 6인치 질화갈륨 반도체(GaN on SiC) 에피웨이퍼를 개발하고 제조하는 기업이다. 특히 스위겐의 에피웨이퍼가 적용된 질화갈륨 반도체(GaN on SiC)는 4GHz 이상의 초고주파 대역에서 전력 효율성이 높은 특성을 가지고 있으며, 이러한 점이 RFHIC의 질화갈륨 웨이퍼 수급처 다변화에 중요한 요인으로 작용할 것이라고 회사측은 설명했다.

이러한 에피웨이퍼 개발 및 제조 기술은 질화갈륨 반도체(GaN on SiC) 성능의 약 50% 이상 영향을 주는 핵심 요소인 만큼 시장에서 요구하는 초고주파 대역에서의 고출력, 고효율의 제품 수요를 스위겐 제품을 통해 적극 대응할 수 있을 것이라 전했다.

RFHIC 관계자는 “이번 전략적 지분투자를 통해 지속적으로 증가하고 있는 GaN 반도체 수요에 적극 대응하고, 4GHz 이상 주파수로 확대될 것이라 예상되는 5G, 6G 및 저궤도 위성통신 분야에서도 독보적인 제품을 출시할 수 있도록 연구개발에 주력할 계획”이라고 전했다.

이어 “양사의 기술 등을 접목시켜 기존 RFHIC의 무선통신 및 방위산업 제품들의 경쟁력도 한 단계 업그레이드시키는 등 상호 전략적 협력관계를 통해 상생할 수 있는 다양한 방안을 모색할 예정”이라고 덧붙였다.