SK하이닉스가 12일 차세대 고대역폭 메모리(HBM) ‘HBM4’ 개발을 완료하고 세계 최초로 양산 체제를 구축했다고 밝혔다. 글로벌 인공지능(AI) 확산으로 고성능·고효율 메모리 수요가 급증하는 가운데, 6세대 HBM을 상용화 단계에 올렸다는 설명이다.

HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 기존 D램 대비 데이터 처리 속도를 대폭 향상시킨 메모리로, AI 반도체와 데이터센터에 필수적으로 적용된다. 이번 HBM4는 데이터 전송 통로(I/O)를 전 세대 대비 두 배인 2,048개로 확대해 대역폭을 2배로 끌어올렸다. 전력 효율도 40% 이상 개선됐으며, 고객 시스템 적용 시 AI 서비스 성능을 최대 69% 높일 수 있다고 회사는 밝혔다.

HBM4는 국제반도체표준협의기구(JEDEC) 표준 속도인 8Gbps를 넘어 10Gbps 이상의 전송 속도를 구현했다. 자체 MR-MUF 공정과 10나노급 5세대 D램 기술을 적용해 양산 안정성을 확보했다는 설명이다.

조주환 SK하이닉스 HBM개발 담당 부사장은 “HBM4는 업계의 새로운 이정표가 될 제품”이라며 “성능·효율·신뢰성을 갖춘 제품을 적기에 공급해 AI 메모리 시장에서 경쟁 우위를 확보하겠다”고 밝혔다.

김주선 AI Infra 사장은 “HBM4는 AI 인프라의 한계를 넘어서는 전환점이 될 것”이라며 “최고 품질의 메모리를 적시에 공급해 풀 스택 AI 메모리 프로바이더로 도약하겠다”고 말했다.