RFHIC(대표이사 조덕수)와 SiC 전력반도체 제조사 예스파워테크닉스가 ‘GaN(갈륨나이트라이드, 질화갈륨) 기반 차세대 화합물반도체’ 생산에 본격적으로 나선다.

RFHIC는 23일 예스파워테크닉스와 GaN 화합물반도체 합작회사(JV) 설립을 위한 양해각서(MOU)를 체결했다. 이날 경기도 안양시 소재 RFHIC 본사에서 열린 체결식에는 조덕수 RFHIC 대표와 정은식 예스파워테크닉스 대표가 참석했다.

GaN 화합물반도체는 기존 실리콘(Si) 기반 전력반도체에 비해 높은 전력 효율과 내구성을 갖추고 있다. 사용 전압이 낮고 고주파에 강해 5G 기지국이나 자율주행용 센서, 전기차 내부 전원장치, 무선·고속 충전기 등에 주로 사용된다.

전기차 보급이 확대되고 5G 통신 등 디지털전환이 빨라지면서, 고전압·고주파·고열 등 구동환경에서도 전력 변환과 분배, 제어에서 높은 성능 안정성을 가진 화합물반도체의 수요가 폭증하고 있다. 시장조사업체 욜디벨롭먼트에 따르면 GaN 화합물반도체 시장은 지난해 7800만달러(약 1000억원)에서 2026년 11억달러(약 1조5000억원)로 15배 가량 초고속 성장이 기대된다.

RFHIC는 세계 최초로 GaN 소재 기반 트랜지스터를 이용한 통신용 전력증폭기를 상용화 시켰으며, 삼성전자를 포함한 세계 주요 통신장비업체와 방산업체들에 GaN 제품을 공급하고 있다. 최근 GaN 소재 기반 트랜지스터를 적용한 산업용 마이크로웨이브 제너레이터(Solid-State Microwave Generator)를 제품화하여 수소 생산 설비, 폐기물 처리장치, 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition) 및 반도체 공정 장비(특히, Etching 분야) 등의 새로운 시장을 개척해가고 있다.

예스파워테크닉스는 국내 SiC 전력반도체 선도 기업이다. SiC 전력반도체는 같은 두께의 Si 반도체에 비해 약 10배의 전압과 섭씨 수백도 고온에서도 동작하며 전력 소모도 작아 에너지 효율을 높일 수 있다. 예스파워테크닉스는 지난 5월 SK㈜가 지분 94.8%를 인수하였다.

양사는 앞으로 고성장 GaN 등의 차세대 반도체 개발과 국산화를 함께 추진해 나갈 예정이다.

한편, 조덕수 RFHIC 대표는 “RFHIC와 예스파워테크닉스가 이번 MOU를 시작으로 GaN RF 소자와 전력반도체를 국산화하고, 보다 빠른 양산을 위하여 해외 주요 화합물 파운드리 기업들과 협업을 할 계획이다”라고 말했다.

정은식 예스파워테크닉스 대표는 “금번 양해각서를 시작으로 향후 양 사 간의 긴밀한 협력을 통해 두 회사 모두 새로운 성장 동력을 확보함과 동시에, 글로벌 화합물 반도체 시장에서 국내 업계의 입지를 강화해 나갈 것으로 기대한다”라고 말했다.