웨이비스, L-SAM 핵심 RF GaN 반도체 국산화 개발 착수

웨이비스(대표이사 한민석)가 장거리 지대공유도무기체계(L-SAM) 다기능레이더(MFR)에 들어가는 핵심 RF GaN 칩(HEMT, High Electron Mobility Transistor) 국산화를 위한 기술 개발에 본격 착수한다고 15일 전했다.

RF GaN 반도체는 레이더 송신부에서 높은 출력과 효율, 고전압 동작 특성을 구현하는 핵심 부품이다. 특히 방산 분야에서는 장기간 안정적인 부품 공급과 후속 군수지원이 중요한 만큼, 해외 공급망 변화 및 수출 통제 등 조달 불확실성을 줄이고자 핵심 RF 반도체의 국내 공급 기반을 확보하는 일이 관건이다.

웨이비스는 지난 7월 23일 일반부품 국산화 개발협약을 체결한 데 이어, 8월 21일 국방기술진흥연구소 관계자들과 착수회의를 열고 개발 범위와 단계별 시험·검증 계획을 구체적으로 다듬었다.

이번 개발 대상은 L-SAM 다기능레이더 송신부 고출력증폭보드에 채택되는 S대역 고출력 RF GaN HEMT 칩이다. 현재 해외 부품에 의존하고 있는 핵심 RF 반도체를 국내 기술로 대체해 안정적인 공급 기반을 마련하고, 장기간 운용되는 무기체계의 후속 군수지원 역량을 끌어올리는 것이 목표다.

웨이비스는 국내 생산시설을 기반으로 RF GaN HEMT 칩의 설계와 제조를 맡고, 개발 칩을 적용한 내부정합형 트랜지스터(IMFET)와 고출력증폭보드를 만들어 실제 체계 적용 가능성을 검증할 예정이다.

검증은 ① 칩 단위 전기적·RF 특성 평가 ② IMFET 출력 및 효율 검증 ③ 고출력증폭보드 최적화 ④ L-SAM 체계 구성품 연계시험 순으로 진행된다. 특히 국산 칩의 소자 특성에 맞춰 패키지와 보드 설계를 함께 최적화해 기존 체계에서 요구되는 성능을 충족하는 데 중점을 둘 방침이다.

개발을 마치면 웨이비스는 L-SAM 유지·보수에 필요한 수요에 우선 대응하고, 국산화 인증 및 규격화 절차를 거쳐 후속 양산과 국내외 유사 레이더·유도무기체계로 적용 범위를 넓혀갈 예정이다.

웨이비스 관계자는 “이번 사업은 국산 RF GaN 반도체의 적용 영역을 지상 방공체계로 넓히는 귀중한 발판”이라며 “국내 설계·제조 기반과 칩부터 패키지트랜지스터, 고출력증폭보드까지 연계할 수 있는 기술력을 토대로 L-SAM 핵심부품의 공급 안정성과 후속 군수지원 역량을 한층 강화하겠다”라고 강조했다.

한편, 웨이비스는 RF GaN 반도체의 설계부터 웨이퍼 제조, 패키징, 모듈 개발까지 연계할 수 있는 생산 기반을 갖추고 있다. 아울러 한국형 차기 구축함(KDDX)을 비롯해 함정용 다기능레이더 등 주요 방산체계를 대상으로 RF GaN 반도체 및 관련 부품의 국산화를 추진하며 다채로운 적용 경험을 쌓아왔다.

이번 L-SAM 일반부품 국산화 개발을 통해 지상 방공체계 분야로 사업 영역을 확장하고, 향후 국산화 인증과 규격화를 토대로 방산 레이더 및 유도무기체계용 RF 반도체 제품군을 지속해서 늘려갈 구상이다.