동부하이텍, 스마트폰 핵심부품 전력반도체 제조기술 개발
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동부하이텍, 스마트폰 핵심부품 전력반도체 제조기술 개발
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0.13미크론급 복합전압소자(BCDMOS) 공정기반

동부하이텍(대표: 최창식 사장)은 21일 스마트폰 핵심부품인 전력반도체 제조에 최적화된 공정기술을 개발했다고 밝혔다.

이번에 개발한 제조공정기술은 0.13미크론급 복합전압소자(BCDMOS) 공정을 기반으로 하고 있으며, 동부하이텍은 이를 기반으로 퀄컴∙미디어텍 등 전력반도체 선두기업 프로모션에 적극 나서고 있다.

최근 퀄컴 등 팹리스(반도체설계전문기업)들이 전력반도체를 설계할 때, 칩 사이즈 최소화를 위해 기존 0.18에서 0.13미크론급으로 개발공정을 미세화하고 있으며, 동부하이텍도 이에 맞춰 해당 공정을 개발해 관련 파운드리 시장을 선점한다는 전략이다.

스마트폰에는 보통 7~8개의 전력반도체가 들어가는데, 이번 공정기술은 스마트폰의 핵심부품인 어플리케이션프로세서(AP)와 베이스밴드칩(BB, 모뎀칩)에 전력을 공급하는 전력반도체 제조에 최적화되어 있다.

AP와 베이스밴드칩은 최근 스마트폰의 기능이 늘어남에 따라 더욱 방대하고 다양한 데이터를 처리하게 돼, 이와 연동되는 전력반도체도 다양한 기능을 포함하고 있어 칩 크기가 커질 수 밖에 없었으며, 이에 따라 미세화 공정에 대한 요구도 커졌다.

동부하이텍 관계자는 “AP와 베이스밴드칩용 전력반도체는 다양한 기능으로 칩 크기가 큰 만큼 개당 가격도 대략 2불 수준이며, 1불 미만인 다른 종류의 전력반도체에 비해 고가”라고 말하고, “성장성이 높고 부가가치가 높은 분야를 적극 공략해 지속적인 성장을 이뤄나갈 계획”이라고 밝혔다.

한편 시장조사기관 아이서플라이에 따르면, 스마트폰 및 태블릿용 전력반도체 시장은 작년 24억불에서 올해 약 30억불 규모로 성장하고, 2017년까지 연평균 10%의 높은 성장률을 보이며 약 35억불 규모의 시장을 형성할 전망이다.
 

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